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数码资讯: 最新泄漏显示三星Galaxy S21可能会跳过Exynos 1000芯片

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三星将于明年初推出Galaxy S21。新的旗舰系列有望至少在规格部门进行一系列升级。根据新的Geekbench清单,三星可能在S21手机上使用新的芯片。

最新泄漏显示三星Galaxy S21可能会跳过Exynos 1000芯片

尽管较早的传言暗示了功能强大的“ Exynos 1000”芯片,但该清单显示,Galaxy S21可以在Exynos 2100上运行。与未经证实的Exynos 1000和Snapdragon 875相比,Exynos 2100的表现并不出色。有趣的是,Exynos 1000芯片在Geekbench列表中得分最高。

根据GSMArena的说法,三星Galaxy S21将配备8GB RAM,与支持4G的S20 +相同。该公司在5G型号上提供12GB的RAM。

最新泄漏显示三星Galaxy S21可能会跳过Exynos 1000芯片

三星Galaxy S21的电池容量也将比之前的电池好一些。根据另一份报告,三星将在新旗舰上配备4800mAh电池。与目前的S20 +型号相比,它将增加约300mAh的电量。

三星每年2月推出其S系列旗舰产品。该公司明年可能会遵循相同的产品发布周期。

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如前所述,三星Galaxy S21将具有升级的功能和规格。该相机在新旗舰上也可能会变得更好。三星已经开始研究ISOCELL Vizion相机,它将是3D ToF相机。也有传言说OIS会出现在前置摄像头上。您也可以在新的旗舰产品上获得最新的软件。

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